濺射靶材的靶極濺射工藝生產(chǎn)分為那幾類？

濺射靶材的靶極濺射制備按工藝可分為熔融法和粉末冶金兩大類。高純金屬如Al、Ti、Ni、Cu、Co等具有良好塑性，使用熔融法制備，將一定成分配比的合金原料熔煉電子束或電弧、等離子熔煉等，再將合金熔液澆注于模具中，形成鑄錠，最后將得到的錠進(jìn)行熱處理和機(jī)械加工，制成靶材。

為保證鑄錠中雜質(zhì)元素含量盡可能低, 通常其冶煉和澆注在真空或保護(hù)性氣氛下進(jìn)行。但鑄造過程中, 材料組織內(nèi)部難免存在一定的孔隙率, 這些孔隙會導(dǎo)致濺射過程中的微粒飛濺, 從而影響濺射薄膜的質(zhì)量。為此, 需要后續(xù)熱加工和熱處理工藝降低其孔隙率。通常該法制備的靶材雜質(zhì)含量（特別是氣體雜質(zhì)含量）低，密度高，可大型化生產(chǎn)；但是仍存在靶材晶粒尺寸和晶粒織構(gòu)取向均勻性較難控制的缺點(diǎn)。

對于W、Mo和R等難熔金屬及合金材料，通常采用粉末燒結(jié)法制備濺射靶極。粉末冶金法是將一定成分配比的合金原料熔煉, 澆注成鑄錠后再粉碎, 將粉碎形成的粉末經(jīng)等靜壓成形, 再高溫?zé)Y(jié), 最終形成靶材。常用的粉末冶金工藝包括冷壓、真空熱壓和熱等靜壓等。粉末冶金法適合于難熔金屬如鎢、鉬靶材及陶瓷靶材的制備。優(yōu)點(diǎn)是靶材成分均勻，可獲得超細(xì)晶粒;缺點(diǎn)是雜質(zhì)含量高，同時(shí)密度低,容易造成微粒飛濺。

高純?yōu)R射靶材是伴隨著半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展而興起的，研發(fā)生產(chǎn)設(shè)備專用性強(qiáng)，涉及測試平臺精密度高。全球半導(dǎo)體工業(yè)的區(qū)域集聚性造就了高純?yōu)R射靶材生產(chǎn)企業(yè)的高度聚集。濺射鍍膜工藝起源于國外，西方國家投入較早。目前，全球半導(dǎo)體濺射靶材研制和生產(chǎn)主要集中在美國、日本少數(shù)幾家公司。以霍尼韋爾（美國）、日礦金屬（日本）、東曹（日本）等跨國集團(tuán)為代表的濺射靶材生產(chǎn)商較早涉足該領(lǐng)域，經(jīng)過幾十年的技術(shù)積淀，憑借其雄厚的技術(shù)力量、精細(xì)的生產(chǎn)控制和過硬的產(chǎn)品質(zhì)量居于全球?yàn)R射靶材市場的主導(dǎo)地位，占據(jù)絕大部分市場份額。